中國半導體版曼哈頓計畫曝光 析舉國體制要害 (圖)


2024年3月27日荷蘭費爾德霍芬的照片顯示了荷蘭科技巨擘ASML的貨櫃。 ASML是半導體產業晶片製造設備的供應商,也是全球領先的尖端半導體晶片製造設備製造商之一。(ROB ENGELAAR/ANP/AFP via Getty Images)
2024年3月27日荷蘭費爾德霍芬的照片顯示了荷蘭科技巨擘ASML的貨櫃。ASML是半導體產業晶元製造設備的供應商,也是全球領先的尖端半導體晶元製造設備製造商之一。(ROB ENGELAAR/ANP/AFP via Getty Images)

【看中國2025年12月23日訊】(看中國記者金言綜合報導)2025年歲末之際,路透社一篇深度調查報導揭開了中國在極紫外(EUV)光刻機領域的秘密進展,曝光這一高度機密的「中國半導體版曼哈頓計畫」。自媒體大V、時評人文昭剖析了這一突破的本質。他認為,這一項目雖展現了強大的短期衝刺能力,卻難以掩飾其在倫理邊界、技術可持續性以及商業盈利模式上的結構性缺陷。時評人蘭述與馬克將此事定性為中共對西方發起的「全方位國家性技術戰爭」,強調中共已完全拋棄國際規則,轉向一種不擇手段的超限戰策略,這令西方基於公平與共贏的競爭體系徹底失防。

原型機曝光:從保密到全球震動

報導披露,在深圳一處戒備森嚴、對外嚴密封鎖的實驗室中,中國科研團隊已於2025年初成功組裝出一臺EUV光刻機原型機。該設備體積龐大,幾乎佔據整個廠房空間,目前處於高壓測試階段,已實現極紫外光的穩定產生與系統初步運行,但距離蝕刻出可實際應用的半導體晶元仍有距離。

這一原型機的核心技術路徑,主要依賴一批從荷蘭阿斯麥(ASML)離職或退休的華裔高級工程師,通過對現有成熟技術的逆向工程而逐步實現。ASML作為全球唯一掌握商用EUV技術的企業,其發展歷程堪稱艱辛:從2001年首臺實驗原型,到2019年實現穩定量產,歷經近二十年漫長迭代,並耗費數十億歐元巨額研發投入。

文昭指出,中國起步雖晚,卻受益於商用EUV技術的既有積累,並非從純理論空白起步。若能在關鍵光學系統與光源穩定性上取得實質性進展,從原型驗證到成熟商用的週期有望顯著壓縮。

中美博弈的核心:差距與追趕的較量

這一事件的核心在於中美半導體設備的戰略對峙。美國長期將維持對中國晶元製造能力至少十年的技術領先,作為國家安全與經濟霸權的底線;而中國則以高度緊迫感全力追趕,視其為打破「卡脖子」封鎖的生死攸關之戰。

據世界半導體貿易統計組織(WSTS)預測,2025年全球半導體市場規模將超過7000億美元,其中7納米及以下先進位程晶元佔比已逾40%,並正加速向人工智慧、汽車電子與高端消費數碼等領域滲透。中國當前主力製程仍徘徊在28納米以上,雖在中低端市場佔有可觀份額,但若缺乏高端突破,將難以在需要海量算力的AI競賽中長久立足。

習近平將半導體自給自足提升至國家最高優先級,並親自指揮部署,正是這一戰略焦慮的集中體現。蘭述與馬克進一步強調,中共的戰略思維已演變為典型的「零和戰爭模式」:視國際競爭為你死我活的生存搏殺,而西方仍囿於傳統的「規則內共贏」範式。這種認知鴻溝,使得規則與公平競爭對中共毫無約束力,唯有以冷戰時期對蘇聯的高度警惕,方能有效應對。

「挖、偷、拆、買」:多維策略下的技術獲取

該項目自2019年起正式啟動,由習近平親信、中央科學技術委員會主任丁薛祥直接挂帥(該委員會改制後直屬總書記),華為負責協調全國數千名工程師,資源供給近乎無限。內部人士將其比喻為「中國版的曼哈頓計畫」,最終目標是以完全國產設備製造先進晶元,並將美國徹底排除在中國供應鏈之外。

文昭將中國攻克難關的路徑精煉為「挖、偷、拆、買」四種策略,每一種都蘊含深刻的邏輯與潛在代價。

「挖人才」:以高額簽約獎金(300萬至500萬元人民幣)、購房補貼乃至允許雙重國籍等優厚條件,重點招募ASML華裔資深工程師,並為其配備假名與假身份證。路透社特別提及林楠,其團隊在中科院上海光學研究所僅用18個月即申請8項EUV光源相關專利。蘭述與馬克補充,這種挖角往往輔以對親人的脅迫,這是西方倫理與法律無法想像的陰險手段。

「偷技術」:這些工程師攜帶有ASML核心機密,嚴重違反保密協議。ASML曾贏得對一名前中國工程師的8.45億美元賠償判決,卻因被告破產並獲中國官方庇護而執行落空。蘭述與馬克視華為為此類行動的主導者,其行為已具備高度侵略性與國家間諜特徵。

「拆舊機」:項目組建約百名應屆大學畢業生團隊,從國際二手拍賣平臺(如阿里巴巴拍賣,最近一例發生在2025年10月)獲取舊款ASML設備,反覆拆裝並以攝像頭全程記錄。此舉旨在逆向還原原設計者的深層思維邏輯。

「買二手」:通過中介公司掩蓋真實身份,從全球二手市場採購ASML供應商零部件,甚至包括日本尼康與佳能的出口受限組件。

關鍵瓶頸:光源、光學與生態的嚴峻挑戰

技術攻堅中最嚴峻的關卡,當屬光源功率與精密光學系統。蘭述與馬克詳細剖析:EUV光源需高強度激光每秒轟擊熔融錫滴5萬次,產生高達20萬攝氏度的電漿體。中國哈爾濱工業大學採用LPP模式已達約100瓦功率,僅相當於ASML當前600-700瓦水平的六分之一,且後續過濾過程會導致進一步功率衰減。ASML預計未來三年內將突破1000瓦以上。

光學反射鏡幾乎由德國蔡司獨家壟斷,每鏡由40層納米級塗層精密構成,工藝極端複雜。中國長春光機所雖取得初步進展,使原型於2025年初實現光源集成,但鏡面錫碎片污染、熱變形與能量損耗等問題仍亟待解決。原型機體積遠超ASML標準規格,雖足以支撐測試,卻顯粗糙與初級。

在實際應用層面,即使硬體成熟,光刻機仍需與下游晶圓代工廠深度綁定,形成實時反饋與迭代機制。台積電獨家實現2-3納米量產,正是憑藉其獨特know-how。中國若欲複製,難度極大。此外,工業設計軟體(EDA)領域,美國企業佔據絕對壟斷,中國自研僅能應對低端設計,7納米以下億級晶體管布局與錯誤校驗仍高度依賴美國。

「示威性突破」:短期效應與長遠隱憂

文昭的核心觀察在於,此次突破的戰略價值,首先體現為「穩定技術差距、防止進一步拉大」。預計2030年實現可用晶元,仍落後ASML約十年。原型被西方媒體提前曝光,削弱了原本可帶來的全民士氣提振效應,中國或將提前高調官宣「打破美國卡脖子」。

他提醒,這很可能是一種「示威性技術宣示」——通過高調宣傳引發西方市場恐慌、股價波動,迫使企業妥協合作,此招曾在軍工領域屢試不爽。但西方政府可通過研發補貼、大額訂單等方式迅速穩定市場情緒。自由市場體制雖短期易受非理性影響,卻在原則上優於舉國體制;現實應對需靈活變通,避免陷入「思想潔癖」。

蘭述與馬克則發出嚴峻警示:中共此路類似蘇聯「走火入魔」,對抗全球最終或自陷經濟拖垮。通過抄襲與竊取雖能短期跨越壁壘,卻省略了基礎科研的艱辛積累,導致底層薄弱——高端醫療設備如核磁共振國產化率長期低迷,便是明證。

大規模量產是更深層的隱憂。ASML累計交付數千臺設備,仰賴高度國際化的供應鏈體系。中國若欲實現百臺以上穩定生產,僅有兩條路徑:全面自給(效率低下)或維持良好國際關係(當前地緣環境極難)。文昭直指要害,舉國體制擅長解決「從無到有」的存在性問題,卻難以保障長期商業盈利與市場競爭力。

警醒西方

文昭、蘭述與馬克的觀點高度契合,即中國EUV原型機的問世,既彰顯了舉國體制的強大執行力與戰略雄心,又暴露了手段的倫理風險、技術鏈的脆弱環節以及模式的長遠侷限。這一事件無疑將進一步白熱化中美半導體競爭,晶元已成為潛在戰爭動力的核心要素。

西方若欲有效應對,必須摒棄幻想,以高度緊迫感強化警惕、人才保護、聯合研發與風險分擔。2026年中國或將有重大官方宣布,但真正成效仍需經受時間與市場的嚴苛檢驗。



来源:看中國

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